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NTMD2C02R2
N ? Channel
P ? Channel
2500
2000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1500
1200
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1500
1000
C rss
C iss
900
600
C rss
C iss
500
0
10
5
C rss
0
5
10
15
C oss
20
300
0
10
5
0
5
10
C oss
C rss
15
20
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Capacitance Variation
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Capacitance Variation
5
QT
20
5
QT
20
18
4
3
V DS
V GS
16
12
4
3
V GS
16
14
12
2
1
Q1
Q2
I D = 6 A
V DS = 16 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
8
4
2
1
Q1
Q2
V DS
I D = ? 2.4 A
T J = 25 ° C
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 15. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 16. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 16 V
I D = 4.0 A
V GS = 4.5 V
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.2 A
V GS = ? 2.7 V
100
t f
t r
t d(off)
100
t r
t d (off)
t f
10
1
t d(on)
10
100
10
1.0
10
t d (on)
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 17. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
http://onsemi.com
6
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 18. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
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